Intel anuncia transistores com nova estrutura 3D

O transistor 3D "Tri-Gate" de 22 nan?metros da Intel ? tentativa de aumentar participa??o da empresa no mercado de telefones m?veis. Novo formato tem terceira dimensao com "torre magra" de sil?cio
Foto: Intel/Reprodu??o

A Intel anunciou em entrevista coletiva, em San Francisco, nesta quarta-feira que fabricar? transistores com nova estrutura 3D. O componente de microprocessadores ? chamado de Tri-Gate e apresenta uma estrutura de sil?cio com a terceira dimens?o, com uma "torre magra no centro". O componente agora tem 22 nan?metros e deve come?ar a ser fabricado para lan?amento em 2012, sem data definida.

Segundo a Intel, os transistores tridimensionais Tri-Gate apresentam uma melhora de at? 37% no desempenho dos processadores quando usado em baixa voltagem comparado aos transistores de 32 nan?metros - a tecnologia anterior da companhia. A estrat?gia da Intel com o novo transistor ? ficar mais competitiva no setor de tablets e smartphones.

"Os ganhos de desempenho e a economia de energia n?o s?o comparados a nada j? visto", afirmou Mark Bohr, Senior Fellow da Intel. Os "tecn?logos" da Intel ainda prometeram que o novo componente pode gerar economia de energia em at? 50% se usado em baixa voltagem.

Apesar dos ganhos em energia e desempenho, o custo do transistor aumentar? de 2% a 3%."Acreditamos que essa inova??o ampliar? ainda mais a lideran?a da Intel sobre o resto da ind?stria de semicondutores", diise Bohr.

A Intel j? havia anunciado o transistor em 2002, mas ainda n?o podia fabricar em larga escala. A empresa acredita que agora poder? fabricar at? seis milh?es de novos componentes.

A expectativa tamb?m ? de que essa inova??o auxilie na cria??o de novos produtos integrados baseados no processador Intel Atom.